VISHAY SI5908DC-T1-E3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.4 A, 20 V, 0.032 ohm, 4.5 V, 1 V
The is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for load, battery and PA switch applications.
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- TrenchFET® power MOSFET
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- Ultra low RDS ON
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- Excellent power handling in compact footprint
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R
Newark:
# VISHAY SI5908DC-T1-E3 Dual MOSFET, Dual N Channel, 4.4 A, 20 V, 0.032 ohm, 4.5 V, 400 mV
力源芯城:
20V,5.9A,双N沟道MOSFET
针脚数 8
漏源极电阻 0.032 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 1.1 W
阈值电压 400 mV
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 5.90 A
上升时间 36 ns
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1100 mW
引脚数 8
封装 1206
高度 1.1 mm
封装 1206
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15