SI1028X-T1-GE3

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SI1028X-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.54 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 220 mW

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 16pF @15VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 0.22 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-89

外形尺寸

长度 1.7 mm

宽度 1.7 mm

高度 0.6 mm

封装 SC-89

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI1028X-T1-GE3
型号: SI1028X-T1-GE3
描述:N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

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