对比图
型号 SPB16N50C3 SPP11N80C3 STB55NF06T4
描述 INFINEON SPB16N50C3 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 560 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 VINFINEON SPP11N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 VN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3
额定电压(DC) 560 V 800 V 60.0 V
额定电流 16.0 A 11.0 A 50.0 A
通道数 - - 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.25 Ω 0.39 Ω 0.015 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 160 W 156 W 110 W
阈值电压 3 V 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 560 V 800 V 60 V
漏源击穿电压 - - 60.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 16.0 A 11.0 A 50.0 A
上升时间 8 ns 15 ns 50 ns
输入电容(Ciss) 1600pF @25V(Vds) 1600pF @100V(Vds) 1300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 160 W 156 W 110 W
下降时间 8 ns 7 ns 15 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 160W (Tc) 156 W 110W (Tc)
额定功率 - 156 W -
输入电容 1.60 nF - -
栅电荷 66.0 nC - -
长度 10 mm 10.36 mm 10.4 mm
宽度 9.25 mm 4.57 mm 9.35 mm
高度 4.4 mm 9.45 mm 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99