Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
CoolMOS™C3 功率 MOSFET
### MOSFET ,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
欧时:
Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
立创商城:
SPW35N60C3
得捷:
SPW35N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 34.6A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 34.6A 3-Pin TO-247 Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 34.6A 3-Pin3+Tab TO-247
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.9A; 313W; PG-TO247-3
Verical:
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力源芯城:
600V,34.6A,N沟道功率MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 34.6A TO-247
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 34.6A TO-247
额定电压DC 650 V
额定电流 34.6 A
通道数 1
漏源极电阻 0.081 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 313 W
阈值电压 3 V
输入电容 4.50 nF
栅电荷 200 nC
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 34.6 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 4500pF @25VVds
额定功率Max 313 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 313W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
香港进出口证 NLR
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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