SPW35N60C3和STW43NM60ND

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SPW35N60C3 STW43NM60ND IPW60R099C6

描述 Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能STMICROELECTRONICS  STW43NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 35 A, 600 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 VMOS(场效应管)/IPW60R099C6 管装

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 650 V - -

额定电流 34.6 A - -

通道数 1 1 1

漏源极电阻 0.081 Ω 0.075 Ω 90 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 313 W 255 W 278 W

阈值电压 3 V 4 V 3.5 V

输入电容 4.50 nF - -

栅电荷 200 nC - -

漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 600 V - 600 V

连续漏极电流(Ids) 34.6 A 35A 37.9A

上升时间 5 ns 40 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 4500pF @25V(Vds) 4300pF @50V(Vds) 2660pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 313 W 255 W 278 W

下降时间 10 ns 50 ns 6 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 313W (Tc) 255W (Tc) 278W (Tc)

针脚数 - 3 -

长度 16.13 mm 15.75 mm 16.13 mm

宽度 5.21 mm 5.15 mm 5.21 mm

高度 21.1 mm 20.15 mm 21.1 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

香港进出口证 NLR NLR -

ECCN代码 - - EAR99

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