对比图
型号 IPP60R099C6 SPW35N60C3 IPW60R099C6
描述 INFINEON IPP60R099C6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 37.9 A, 600 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 VInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能MOS(场效应管)/IPW60R099C6 管装
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-247-3
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.09 Ω 0.081 Ω 90 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 278 W 313 W 278 W
阈值电压 3 V 3 V 3.5 V
漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 37.9A 34.6 A 37.9A
上升时间 12 ns 5 ns 12 ns
输入电容(Ciss) 2660pF @100V(Vds) 4500pF @25V(Vds) 2660pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 278 W 313 W 278 W
下降时间 6 ns 10 ns 6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 278W (Tc) 313W (Tc) 278W (Tc)
通道数 - 1 1
漏源击穿电压 - 600 V 600 V
额定电压(DC) - 650 V -
额定电流 - 34.6 A -
输入电容 - 4.50 nF -
栅电荷 - 200 nC -
长度 10.65 mm 16.13 mm 16.13 mm
宽度 4.9 mm 5.21 mm 5.21 mm
高度 16.15 mm 21.1 mm 21.1 mm
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended Not Recommended Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - EAR99
香港进出口证 - NLR -