对比图
型号 SPI15N60CFD SPI15N60CFDHKSA1 IPI65R310CFD
描述 INFINEON SPI15N60CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13.4 A, 650 V, 0.28 ohm, 10 V, 4 VTO-262 N-CH 600V 13.4AInfineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-262-3 TO-262-3-1 TO-262-3
极性 N-Channel N-CH N-CH
耗散功率 156 W 156W (Tc) 104.2 W
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 13.4 A 13.4A 11.4A
上升时间 24 ns 24 ns 7.5 ns
输入电容(Ciss) 1820pF @25V(Vds) 1820pF @25V(Vds) 1100pF @100V(Vds)
下降时间 5 ns 5 ns 7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 156W (Tc) 104.2 W
通道数 - - 1
漏源极电阻 0.28 Ω - 310 mΩ
阈值电压 4 V - 4 V
漏源击穿电压 - - 650 V
额定功率(Max) 156 W - 104.2 W
针脚数 3 - -
封装 TO-262-3 TO-262-3-1 TO-262-3
长度 10.2 mm - 10.2 mm
宽度 4.5 mm - 4.5 mm
高度 9.45 mm - 9.45 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -