单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
通孔 N 通道 650 V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
欧时:
INFINEON MOSFET SPP11N60C3XKSA1
得捷:
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 11A TO220-3
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab TO-220
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
额定电压DC 650 V
额定电流 11.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 380 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 1200pF @25VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC