DPAK N-CH 600V 1.8A
表面贴装型 N 通道 600 V 1.8A(Tc) 25W(Tc) PG-TO252-3
得捷: MOSFET N-CH 600V 1.8A TO252-3
艾睿: Trans MOSFET N-CH 600V 1.8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source: MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-252
极性 N-CH
耗散功率 25W Tc
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 1.8A
输入电容Ciss 240pF @25VVds
额定功率Max 25 W
耗散功率Max 25W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
数据手册