STMICROELECTRONICS STP5NK60Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 600 V, 1.2 ohm, 10 V, 3.75 V
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB
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N沟道 600V 5A
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP5NK60Z, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
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MOSFET N-Ch 600 Volt 5 Amp
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功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 5 A, 1.2 ohm, TO-220, 通孔
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Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
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STP5NK60Z 系列 N 沟道 600 V 1.6 Ω 齐纳-保护 SuperMESH™ MOSFET- TO-220
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Newark:
# STMICROELECTRONICS STP5NK60Z MOSFET Transistor, N Channel, 5 A, 600 V, 1.2 ohm, 10 V, 3.75 V
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 5A TO-220
额定电压DC 600 V
额定电流 5.00 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 1.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 90 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 5.00 A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 690pF @25VVds
额定功率Max 90 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 90 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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