STP5NK60Z

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STP5NK60Z概述

STMICROELECTRONICS  STP5NK60Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 600 V, 1.2 ohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics

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得捷:
MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB


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N沟道 600V 5A


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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP5NK60Z, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装


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# STMICROELECTRONICS  STP5NK60Z  MOSFET Transistor, N Channel, 5 A, 600 V, 1.2 ohm, 10 V, 3.75 V


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MOSFET N-CH 600V 5A TO-220


STP5NK60Z中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 5.00 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 1.2 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 90 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 5.00 A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 690pF @25VVds

额定功率Max 90 W

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 90 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STP5NK60Z
型号: STP5NK60Z
描述:STMICROELECTRONICS  STP5NK60Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 600 V, 1.2 ohm, 10 V, 3.75 V
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