对比图
型号 STP6N62K3 STU6N62K3 FQP8N60C
描述 STMICROELECTRONICS STP6N62K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 620 V, 0.95 ohm, 10 V, 3.75 VN沟道620 V， 0.95 I© （典型值） ， 5.5 SuperMESH3功率MOSFET采用TO- 220FP ， IPAKFP ， IPAK ， TO- 220 ， IPAK包 N-channel 620 V, 0.95 Ω typ., 5.5 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, IPAKFP, IPAK, TO-220, IPAK packagesFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP8N60C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-251-3 TO-220-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.95 Ω 0.95 Ω 1 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 90 W 90 W 147 W
阈值电压 3.75 V 3.75 V 4 V
漏源极电压(Vds) 620 V 620 V 600 V
上升时间 12 ns 12.5 ns 60.5 ns
输入电容(Ciss) 875pF @50V(Vds) 875pF @50V(Vds) 1255pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 90 W 90 W 147 W
下降时间 20 ns 19 ns 64.5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 90W (Tc) 90W (Tc) 147W (Tc)
连续漏极电流(Ids) 5.5A - 7.50 A
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 7.50 A
漏源击穿电压 - - 600 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
长度 10.4 mm 6.6 mm 10.67 mm
宽度 4.6 mm 2.4 mm 4.7 mm
高度 15.75 mm 6.2 mm 16.3 mm
封装 TO-220-3 TO-251-3 TO-220-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99