STB23NM50N

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STB23NM50N概述

N 通道 MDmesh™,500V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™,500V,STMicroelectronics


欧时:
MOSFET N-Channel 500V 17A D2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


富昌:
N-Channel 550 V 0.19 Ω Surface Mount MDmesh II Power MosFet - D2PAK


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 125W; D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STB23NM50N  MOSFET Transistor, N Channel, 17 A, 500 V, 0.162 ohm, 10 V, 3 V


力源芯城:
500V,0.162Ω,17A,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK


STB23NM50N中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.162 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 500 V

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 1330pF @50VVds

额定功率Max 125 W

下降时间 29 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.75 mm

宽度 10.4 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STB23NM50N
型号: STB23NM50N
描述:N 通道 MDmesh™,500V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STB23NM50N
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STB23NM50N

ST Microelectronics 意法半导体

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