对比图
型号 STB23NM50N STW23NM50N IPW50R199CP
描述 N 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STW23NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 500 V, 0.162 ohm, 10 V, 3 VINFINEON IPW50R199CP 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-247-3
漏源极电阻 0.162 Ω 0.162 Ω 0.18 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 125 W 125 W 139 W
阈值电压 3 V 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 550 V
上升时间 19 ns 19 ns 14 ns
输入电容(Ciss) 1330pF @50V(Vds) 1330pF @50V(Vds) 1800pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 125 W 125 W 139 W
下降时间 29 ns 29 ns 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 125W (Tc) 125W (Tc) -
针脚数 - 3 3
漏源击穿电压 - 500 V -
通道数 - - 1
连续漏极电流(Ids) - - 17.0 A
长度 10.75 mm 15.75 mm 16.13 mm
宽度 10.4 mm 5.15 mm 5.21 mm
高度 4.6 mm 20.15 mm 21.1 mm
封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -