STMICROELECTRONICS STP35N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 28 A, 600 V, 0.094 ohm, 10 V, 4 V 新
N 通道 MDmesh DM2 系列,STMicroelectronics
MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDSon 和改进的二极管反向恢复时间,可提高效率,此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。
高 dV/dt 能力,可提高系统可靠性
符合 AEC-Q101
立创商城:
STP35N60DM2
得捷:
MOSFET N-CH 600V 28A TO220
欧时:
### N 通道 MDmesh DM2 系列,STMicroelectronicsMDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDSon 和改进的二极管反向恢复时间,可提高效率,此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。高 dV/dt 能力,可提高系统可靠性 符合 AEC-Q101
贸泽:
MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 17A; 210W; TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STP35N60DM2 MOSFET, N-CH, 600V, 28A, TO-220
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.094 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 210 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 28A
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 2400pF @100VVds
下降时间 10.7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 210W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17