600V,0.26Ω,13A,N沟道功率MOSFET
N-Channel 600V 13A Tc 30W Tc Through Hole TO-220FP
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MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
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N沟道 600V 13A
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TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.2A; 30W; TO220FP
Verical:
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力源芯城:
600V,0.26Ω,13A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 13A TO-220FP
通道数 1
漏源极电阻 0.26 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 30 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 650 V
连续漏极电流Ids 13A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 1000pF @50VVds
额定功率Max 30 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 30W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/06/16
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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