STS5NF60L

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STS5NF60L概述

STMICROELECTRONICS  STS5NF60L  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 60 V, 45 mohm, 10 V, 1.7 V

N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。


立创商城:
N沟道 60V 5A


得捷:
MOSFET N-CH 60V 5A 8SO


欧时:
STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STS5NF60L, 5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive 8-Pin SO N T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO N T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive 8-Pin SO N T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 60V; 3A; 2.5W; SO8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive 8-Pin SO N T/R


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 5 A, 60 V, 45 mohm, 10 V, 1.7 V


儒卓力:
**N-CH 60V 5A 55mOhm SO-8 **


力源芯城:
60V,0.045Ω,5A,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 5A 8-SOIC


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 5A 8-SOIC


STS5NF60L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 5.00 A

针脚数 8

漏源极电阻 0.045 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 1.7 V

输入电容 1250 pF

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 2.50 A

上升时间 28 ns

输入电容Ciss 1250pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.65 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 车用, Automotive, 工业, Power Management, Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STS5NF60L引脚图与封装图
STS5NF60L封装焊盘图
在线购买STS5NF60L
型号: STS5NF60L
描述:STMICROELECTRONICS  STS5NF60L  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 60 V, 45 mohm, 10 V, 1.7 V
替代型号STS5NF60L
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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