STMICROELECTRONICS STS5NF60L 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 60 V, 45 mohm, 10 V, 1.7 V
N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
立创商城:
N沟道 60V 5A
得捷:
MOSFET N-CH 60V 5A 8SO
欧时:
STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STS5NF60L, 5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive 8-Pin SO N T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO N T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive 8-Pin SO N T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 60V; 3A; 2.5W; SO8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive 8-Pin SO N T/R
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 5 A, 60 V, 45 mohm, 10 V, 1.7 V
儒卓力:
**N-CH 60V 5A 55mOhm SO-8 **
力源芯城:
60V,0.045Ω,5A,N沟道功率MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 5A 8-SOIC
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 5A 8-SOIC
额定电压DC 60.0 V
额定电流 5.00 A
针脚数 8
漏源极电阻 0.045 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 1.7 V
输入电容 1250 pF
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 2.50 A
上升时间 28 ns
输入电容Ciss 1250pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.65 mm
封装 SOIC-8
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 车用, Automotive, 工业, Power Management, Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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