IRF7842和STS5NF60L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7842 STS5NF60L STS7NF60L

描述 Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8Pin SOSTMICROELECTRONICS  STS5NF60L  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 60 V, 45 mohm, 10 V, 1.7 VSTMICROELECTRONICS  STS7NF60L  晶体管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 60 V, 0.017 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 - SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) - 60.0 V 60.0 V

额定电流 - 5.00 A 7.50 A

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 0.045 Ω 0.017 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 - 2.5 W 2.5 W

阈值电压 - 1.7 V 1 V

输入电容 - 1250 pF 1.70 nF

栅电荷 - - 25.0 nC

漏源极电压(Vds) - 60 V 60 V

漏源击穿电压 - 60.0 V 60.0 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±16.0 V

连续漏极电流(Ids) - 2.50 A 7.50 A

上升时间 - 28 ns 27 ns

输入电容(Ciss) - 1250pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W 2.5 W

下降时间 - 10 ns 20 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2.5W (Tc) 2.5W (Tc)

高度 - 1.65 mm 1.65 mm

封装 - SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm -

工作温度 - 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 - Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

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