FDS5690和STS5NF60L

对比图

型号 FDS5690 STS5NF60L IRF7478

描述 FDS5690 系列 60 V 28 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet SOIC-8STMICROELECTRONICS  STS5NF60L  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 60 V, 45 mohm, 10 V, 1.7 VTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8Pin SOIC

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 7.00 A 5.00 A 4.20 A

漏源极电阻 28.0 mΩ 0.045 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

输入电容 1.11 nF 1250 pF -

栅电荷 23.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 7.00 A 2.50 A 7.00 A

上升时间 9 ns 28 ns 2.60 ns

输入电容(Ciss) 1107pF @30V(Vds) 1250pF @25V(Vds) 1740pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 2.5 W 2.5 W

下降时间 10 ns 10 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Tc) -

针脚数 - 8 -

阈值电压 - 1.7 V -

产品系列 - - IRF7478

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.65 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -