STP9NM50N参数规格_中文资料_数据手册PDF

STP9NM50N概述

N沟道500V - 0.47Ω - 7.5A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK第二代的MDmesh ？功率MOSFET N-channel 500V - 0.47Ω - 7.5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh™ Power MOSFET

N-Channel 500V 5A Tc 70W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 7.5A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 7.5A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

Win Source:
MOSFET N-CH 500V 7.5A TO-220

STP9NM50N中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 70W Tc

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 7.5A

输入电容Ciss 570pF @50VVds

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STP9NM50N

型号： STP9NM50N

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道500V - 0.47Ω - 7.5A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK第二代的MDmesh ？功率MOSFET N-channel 500V - 0.47Ω - 7.5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh™ Power MOSFET

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替代型号STP9NM50N

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