STD9NM50N和STP9NM50N

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STD9NM50N STP9NM50N IPS50R520CP

描述 N沟道500V - 0.47Ω - 7.5A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK第二代的MDmesh ?功率MOSFET N-channel 500V - 0.47Ω - 7.5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh? Power MOSFETN沟道500V - 0.47Ω - 7.5A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK第二代的MDmesh ?功率MOSFET N-channel 500V - 0.47Ω - 7.5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh™ Power MOSFET的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power Transistor

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-251-3

引脚数 - - 3

极性 - N-CH N-Channel

耗散功率 70 W 70W (Tc) 66 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 550 V

连续漏极电流(Ids) - 7.5A 7.10 A

输入电容(Ciss) 570pF @50V(Vds) 570pF @50V(Vds) 680pF @100V(Vds)

耗散功率(Max) 45W (Tc) 70W (Tc) 66W (Tc)

通道数 1 - 1

阈值电压 3 V - -

上升时间 4.4 ns - 14 ns

额定功率(Max) 70 W - -

下降时间 8.8 ns - 17 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-251-3

长度 6.6 mm - 6.73 mm

宽度 6.2 mm - 2.38 mm

高度 2.4 mm - 6.22 mm

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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