STW69N65M5-4

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STW69N65M5-4概述

N沟道 650V 58A

N-Channel 650V 58A Tc 330W Tc Through Hole TO-247-4L


得捷:
MOSFET N-CH 650V 58A TO247-4L


立创商城:
N沟道 650V 58A


贸泽:
MOSFET N-CH 650V 0.037Ohm 58A


艾睿:
Make an effective common source amplifier using this STW69N65M5-4 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 330000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with mdmesh technology.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 58A 4-Pin TO-247 Tube


富昌:
STW69N65M5-4 系列 710 V 58 A 0.045 Ohm N沟道 功率 MOSFET - TO-247-4


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 58A 4-Pin4+Tab TO-247 Tube


STW69N65M5-4中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 330 W

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 6420pF @100VVds

下降时间 11.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 330W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 4

封装 TO-247-4

外形尺寸

封装 TO-247-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STW69N65M5-4
型号: STW69N65M5-4
描述:N沟道 650V 58A

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