N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
立创商城:
N沟道 600V 20A
欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STP26NM60N, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
艾睿:
Thanks to STMicroelectronics, both your amplification and switching needs can be taken care of with one component: the STP26NM60N power MOSFET. Its maximum power dissipation is 140000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This device utilizes mdmesh technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
富昌:
STX26NM60N 系列 600 V 165 mOhm N 沟道 MDmeshTM II 功率 Mosfet-TO-220
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 140W; TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
儒卓力:
**N-CH 600V 20A 160mOhm TO220-3 **
力源芯城:
600V,0.135Ω,20A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
通道数 1
极性 N-Channel
耗散功率 140 W
输入电容 1800 pF
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 10.0 A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 1800pF @50VVds
额定功率Max 140 W
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 140W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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