STP18NM80和STP26NM60N

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STP18NM80 STP26NM60N STP5N95K3

描述 STMICROELECTRONICS  STP18NM80  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 4 VN 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

通道数 - 1 1

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 190 W 140 W 90 W

输入电容 - 1800 pF -

漏源极电压(Vds) 800 V 600 V 950 V

连续漏极电流(Ids) - 10.0 A -

上升时间 28 ns 25 ns 7 ns

输入电容(Ciss) 2070pF @50V(Vds) 1800pF @50V(Vds) 460pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 190 W 140 W 90 W

下降时间 50 ns 50 ns 18 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 190W (Tc) 140W (Tc) 90W (Tc)

漏源极电阻 0.25 Ω - 3 Ω

阈值电压 4 V - 4 V

针脚数 3 - -

长度 10.4 mm 10.4 mm 10.4 mm

宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.6 mm

高度 15.75 mm 15.75 mm 15.75 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 NLR NLR -

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