对比图
型号 STP21N65M5 STP26NM60N STP5N95K3
描述 STMICROELECTRONICS STP21N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 650 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 VN 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 1 1 1
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 125 W 140 W 90 W
输入电容 1950 pF 1800 pF -
漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 950 V
连续漏极电流(Ids) 17A 10.0 A -
上升时间 10 ns 25 ns 7 ns
输入电容(Ciss) 1950pF @100V(Vds) 1800pF @50V(Vds) 460pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 125 W 140 W 90 W
下降时间 12 ns 50 ns 18 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 125W (Tc) 140W (Tc) 90W (Tc)
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.15 Ω - 3 Ω
阈值电压 4 V - 4 V
漏源击穿电压 650 V - -
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm 4.6 mm
高度 - 15.75 mm 15.75 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
香港进出口证 - NLR -