STL40N10F7

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STL40N10F7概述

N沟道 100 V 20 A 0.024 Ω 表面贴装 功率 Mosfet - PowerFLAT 5x6

表面贴装型 N 通道 100 V 40A(Tc) 5W(Ta),70W(Tc) PowerFlat™(5x6)


立创商城:
STL40N10F7


得捷:
MOSFET N-CH 100V 40A POWERFLAT


贸泽:
MOSFET N-CH 100V 0.020Ohm 10A STripFET VII


艾睿:
If you need to either amplify or switch between signals in your design, then STMicroelectronics&s; STL40N10F7 power MOSFET is for you. Its maximum power dissipation is 70000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 8-Pin PowerFlat T/R


富昌:
单 N沟道 100 V 20 A 0.024 Ω 表面贴装 功率 Mosfet - PowerFLAT 5x6


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 8-Pin Power Flat T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 8-Pin Power Flat T/R


STL40N10F7中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 24 mΩ

耗散功率 70 W

阈值电压 4 V

输入电容 1270 pF

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

上升时间 17.5 ns

输入电容Ciss 1320pF @50VVds

额定功率Max 70 W

下降时间 5.6 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 5W Ta, 70W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerFLAT-5x6-8

外形尺寸

长度 5.4 mm

封装 PowerFLAT-5x6-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STL40N10F7
型号: STL40N10F7
描述:N沟道 100 V 20 A 0.024 Ω 表面贴装 功率 Mosfet - PowerFLAT 5x6

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