STF9NK90Z和STP4NK60ZFP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STF9NK90Z STP4NK60ZFP 2SK3799(Q)

描述 STMICROELECTRONICS  STF9NK90Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 900 V, 1.1 ohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS  STP4NK60ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 3.75 VTO-220SIS N-CH 900V 8A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 - 25 W -

通道数 - 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 1.1 Ω 2 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 40 W 25 W 50 W

阈值电压 3.75 V 3.75 V -

漏源极电压(Vds) 900 V 600 V 900 V

连续漏极电流(Ids) 3.60 A 4.00 A 8A

上升时间 13 ns 9.5 ns -

输入电容(Ciss) 2115pF @25V(Vds) 510pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 40 W 25 W 50 W

下降时间 28 ns 16.5 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 40W (Tc) 25000 mW -

长度 10.4 mm 10.4 mm -

宽度 4.6 mm 4.6 mm -

高度 16.4 mm 9.3 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

香港进出口证 NLR - -

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