N 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
N 通道 STripFET™，STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
欧时:
N 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
贸泽:
MOSFET N-Ch 30 Volt 120 Amp
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 120A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
儒卓力:
**N-CH 30V 120A 4mOhm TO263-3 **
力源芯城:
30V,3.2mΩ,120A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
额定电压DC 30.0 V
额定电流 120 A
通道数 1
漏源极电阻 3.2 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 60.0 A
上升时间 195 ns
输入电容Ciss 4950pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 60 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Automotive
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STB200NF03T4 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STB200NF03-1 意法半导体 | 功能相似 | STB200NF03T4和STB200NF03-1的区别 |