STW50N65DM2AG概述
N沟道 650V 28A
通孔 N 通道 28A（Tc） 300W（Tc） TO-247
得捷:
MOSFET N-CH 650V 28A TO247
立创商城:
N沟道 650V 28A
贸泽:
MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 0.052 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 38A Automotive 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; 300W; TO247
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 38A Automotive 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
STW50N65DM2AG中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 87 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 300 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
连续漏极电流Ids 38A
上升时间 21 ns
输入电容Ciss 3200pF @100VVds
下降时间 10.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 20.15 mm
宽度 15.75 mm
高度 5.15 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
在线购买STW50N65DM2AG