N沟道 650V 12A
N-Channel 650V 12A Tc 90W Tc Through Hole I2PAK
立创商城:
N沟道 650V 12A
得捷:
MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
贸泽:
MOSFET MDmesh V 650V 12A 710V VDSS <0.299 Ohm
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube
通道数 1
漏源极电阻 0.23 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 25 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
连续漏极电流Ids 12A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 1250pF @100VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 90W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
封装 TO-262-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STI16N65M5 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STP16N65M5 意法半导体 | 功能相似 | STI16N65M5和STP16N65M5的区别 |
IPP60R299CP 英飞凌 | 功能相似 | STI16N65M5和IPP60R299CP的区别 |
STW16N65M5 意法半导体 | 功能相似 | STI16N65M5和STW16N65M5的区别 |