对比图
型号 STI16N65M5 STP16N65M5 IPW60R299CP
描述 N沟道 650V 12ASTMICROELECTRONICS STP16N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 650 V, 0.23 ohm, 10 V, 4 VInfineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-247-3
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 0.23 Ω 0.23 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 25 W 25 W 96W (Tc)
阈值电压 4 V 4 V -
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 12A 12A 11.0 A
上升时间 7 ns 7 ns 5 ns
输入电容(Ciss) 1250pF @100V(Vds) 1250pF @100V(Vds) 1100pF @100V(Vds)
额定功率(Max) - 90 W 96 W
下降时间 8 ns 8 ns 5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 90W (Tc) 90W (Tc) 96W (Tc)
通道数 1 - -
漏源击穿电压 650 V - -
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 11.0 A
输入电容 - - 1.10 nF
栅电荷 - - 29.0 nC
长度 - 10.4 mm 16.03 mm
宽度 - 4.6 mm 5.16 mm
高度 - 9.15 mm 21.1 mm
封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-247-3
材质 Silicon Silicon -
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -