对比图
型号 IPP60R299CP STI16N65M5 IPW60R299CP
描述 INFINEON IPP60R299CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.27 ohm, 10 V, 3 VN沟道 650V 12AInfineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-262-3 TO-247-3
额定电压(DC) 600 V - 600 V
额定电流 11.0 A - 11.0 A
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 96 W 25 W 96W (Tc)
输入电容 - - 1.10 nF
栅电荷 - - 29.0 nC
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 11.0 A 12A 11.0 A
上升时间 5 ns 7 ns 5 ns
输入电容(Ciss) 1100pF @100V(Vds) 1250pF @100V(Vds) 1100pF @100V(Vds)
额定功率(Max) - - 96 W
下降时间 5 ns 8 ns 5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 96 W 90W (Tc) 96W (Tc)
通道数 1 1 -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.27 Ω 0.23 Ω -
阈值电压 3 V 4 V -
漏源击穿电压 - 650 V -
长度 10 mm - 16.03 mm
宽度 4.4 mm - 5.16 mm
高度 15.65 mm - 21.1 mm
封装 TO-220-3 TO-262-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Not Recommended Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -