STB5NK50Z-1参数规格_中文资料_数据手册PDF

STB5NK50Z-1概述

N沟道500V - 1.22Ω - 4.4A TO- 220 / FP -D / IPAK - D2 / I2PAK齐纳保护的超网MOSFET ？ N-CHANNEL 500V - 1.22Ω - 4.4A TO-220/FP-D/IPAK-D2/I2PAK Zener-Protected SuperMESH™MOSFET

N-Channel 500V 4.4A Tc 70W Tc Through Hole I2PAK TO-262

得捷:
MOSFET N-CH 500V 4.4A I2PAK

贸泽:
MOSFET N-CHANNEL 500 V 1.22 OHM - 4.4A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 4.4A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube

Win Source:
N-CHANNEL500V-1.22W-4.4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET

STB5NK50Z-1中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 1.5 Ω

极性 N-CH

耗散功率 70 W

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 4.4A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 535pF @25VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 8.95 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STB5NK50Z-1

型号： STB5NK50Z-1

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道500V - 1.22Ω - 4.4A TO- 220 / FP -D / IPAK - D2 / I2PAK齐纳保护的超网MOSFET ？ N-CHANNEL 500V - 1.22Ω - 4.4A TO-220/FP-D/IPAK-D2/I2PAK Zener-Protected SuperMESH™MOSFET

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