对比图
型号 STB5NK50Z-1 STW12NK90Z SPP04N80C3
描述 N沟道500V - 1.22Ω - 4.4A TO- 220 / FP -D / IPAK - D2 / I2PAK齐纳保护的超网MOSFET ？ N-CHANNEL 500V - 1.22Ω - 4.4A TO-220/FP-D/IPAK-D2/I2PAK Zener-Protected SuperMESH™MOSFETSTMICROELECTRONICS STW12NK90Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 900 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 VInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-262-3 TO-247-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 900 V 800 V
额定电流 - 11.0 A 4.00 A
额定功率 - 230 W 63 W
通道数 1 - 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 1.5 Ω 0.72 Ω 1.1 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 70 W 230 W 63 W
阈值电压 - 3.75 V 3 V
漏源极电压(Vds) 500 V 900 V 800 V
漏源击穿电压 500 V 900 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 4.4A 11.0 A 4.00 A
上升时间 10 ns 20 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 535pF @25V(Vds) 3500pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds)
额定功率(Max) - 230 W 63 W
下降时间 15 ns 55 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 70W (Tc) 230W (Tc) 63W (Tc)
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
长度 10 mm 15.75 mm 10 mm
宽度 4.4 mm 5.15 mm 4.4 mm
高度 8.95 mm 20.15 mm 15.65 mm
封装 TO-262-3 TO-247-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -