对比图
型号 STB5NK50Z-1 STP80NF10 SPP04N80C3
描述 N沟道500V - 1.22Ω - 4.4A TO- 220 / FP -D / IPAK - D2 / I2PAK齐纳保护的超网MOSFET ？ N-CHANNEL 500V - 1.22Ω - 4.4A TO-220/FP-D/IPAK-D2/I2PAK Zener-Protected SuperMESH™MOSFETN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 100 V 800 V
额定电流 - 80.0 A 4.00 A
额定功率 - 300 W 63 W
通道数 1 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 1.5 Ω 0.012 Ω 1.1 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 70 W 300 W 63 W
阈值电压 - 3 V 3 V
输入电容 - 5500 pF -
漏源极电压(Vds) 500 V 100 V 800 V
漏源击穿电压 500 V 100 V 800 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 4.4A 80.0 A 4.00 A
上升时间 10 ns 80 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 535pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds)
额定功率(Max) - 300 W 63 W
下降时间 15 ns 60 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 70W (Tc) 300W (Tc) 63W (Tc)
长度 10 mm 10.4 mm 10 mm
宽度 4.4 mm 4.6 mm 4.4 mm
高度 8.95 mm 9.15 mm 15.65 mm
封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -