STMICROELECTRONICS STD3PK50Z 晶体管, MOSFET, P沟道, 2.8 A, -500 V, 3 ohm, 10 V, 3.75 V
是一款-500V P沟道齐纳保护功率MOSFET, 采用SuperMESH™技术开发, 优化了基于条带的PowerMESH™布局. 除了低导通电阻之外, MOSFET的设计还可以为要求苛刻的应用提供高水平的dv/dt性能.
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- 减少栅极电荷
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- 极高的dv/dt能力
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- 100％经过雪崩测试
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- 非常低的内在电容
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- 改进的静电能力
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- 高峰值功率
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- 非常坚固耐用
针脚数 3
漏源极电阻 3 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 85 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 500 V
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 620pF @25VVds
额定功率Max 70 W
下降时间 26 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 70W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STD3PK50Z ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
FQD3P50TM 飞兆/仙童 | 功能相似 | STD3PK50Z和FQD3P50TM的区别 |
FQD3P50TF 飞兆/仙童 | 功能相似 | STD3PK50Z和FQD3P50TF的区别 |