FQD3P50TF和STD3PK50Z

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQD3P50TF STD3PK50Z FQD3P50TM

描述 Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RSTMICROELECTRONICS  STD3PK50Z  晶体管, MOSFET, P沟道, 2.8 A, -500 V, 3 ohm, 10 V, 3.75 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD3P50TM  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.1 A, -500 V, 3.9 ohm, -10 V, -5 V 新

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) -500 V - -500 V

额定电流 -2.10 A - -2.10 A

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 4.90 Ω 3 Ω 3.9 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 2.5 W 85 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 2.10 A - 2.10 A

上升时间 56 ns 15 ns 56 ns

输入电容(Ciss) 660pF @25V(Vds) 620pF @25V(Vds) 660pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 70 W 2.5 W

下降时间 45 ns 26 ns 45 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 70W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc)

阈值电压 - 3.75 V -

长度 6.73 mm - 6.73 mm

宽度 6.22 mm - 6.22 mm

高度 2.39 mm - 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台