对比图
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD3P50TM 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.1 A, -500 V, 3.9 ohm, -10 V, -5 V 新STMICROELECTRONICS STD3PK50Z 晶体管, MOSFET, P沟道, 2.8 A, -500 V, 3 ohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) -500 V -
额定电流 -2.10 A -
针脚数 3 3
漏源极电阻 3.9 Ω 3 Ω
极性 P-Channel P-Channel
耗散功率 2.5 W 85 W
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 2.10 A -
上升时间 56 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 660pF @25V(Vds) 620pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 70 W
下降时间 45 ns 26 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 70W (Tc)
阈值电压 - 3.75 V
长度 6.73 mm -
宽度 6.22 mm -
高度 2.39 mm -
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17
REACH SVHC标准 - No SVHC
ECCN代码 EAR99 -