STW25NM60N

STW25NM60N图片1
STW25NM60N图片2
STW25NM60N图片3
STW25NM60N图片4
STW25NM60N图片5
STW25NM60N图片6
STW25NM60N概述

N沟道600V 0.140-20A TO- 220 / FP / DAK / TO- 247第二代的MDmesh MOSFET N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET

N-Channel 600V 21A Tc 160W Tc Through Hole TO-247-3


得捷:
MOSFET N-CH 600V 21A TO-247


艾睿:
Increase the current or voltage in your circuit with this STW25NM60N power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 160000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes mdmesh technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 21A TO-247


STW25NM60N中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 20.0 A

漏源极电阻 140 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 160W Tc

输入电容 2.54 nF

栅电荷 84.0 nC

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 20.0 A

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 2400pF @50VVds

额定功率Max 160 W

下降时间 24 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 160W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STW25NM60N
型号: STW25NM60N
描述:N沟道600V 0.140-20A TO- 220 / FP / DAK / TO- 247第二代的MDmesh MOSFET N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
替代型号STW25NM60N
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STW25NM60N

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

STW26NM60N

意法半导体

类似代替

STW25NM60N和STW26NM60N的区别

STW45NM50

意法半导体

类似代替

STW25NM60N和STW45NM50的区别

STW18NM80

意法半导体

类似代替

STW25NM60N和STW18NM80的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司