对比图
型号 FQP9N50C STP8NM50N STD15NF10T4
描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS STP8NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 500 V, 0.73 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STD15NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-252-3
额定电压(DC) 500 V - 100 V
额定电流 9.00 A - 23.0 A
漏源极电阻 800 mΩ 0.73 Ω 0.065 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 135 W 45 W 70 W
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 100 V
漏源击穿电压 500 V - 100 V
栅源击穿电压 ±30.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 9.00 A 5A 23.0 A
上升时间 65 ns 4.4 ns 45 ns
输入电容(Ciss) 1030pF @25V(Vds) 364pF @50V(Vds) 870pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 135 W 45 W 70 W
下降时间 64 ns 9 ns 17 ns
耗散功率(Max) 135W (Tc) 45W (Tc) 70W (Tc)
通道数 - - 1
针脚数 - 3 3
阈值电压 - 3 V 3 V
工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-252-3
长度 - 10.4 mm 6.6 mm
宽度 - 4.6 mm 6.2 mm
高度 - 16.4 mm 2.4 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99