N沟道500 V， 0.29 Ω ， 11一个的MDmesh ？二功率MOSFET TO- 220 - DPAK - D2PAK - I2PAK - TO- 220FP N-channel 500 V, 0.29 Ω, 11 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220 - DPAK - D2PAK - I2PAK - TO-220FP
N-Channel 500V 11A Tc 100W Tc Surface Mount DPAK
得捷:
MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
贸泽:
MOSFET N-CHANNEL MOSFET Power MDmesh
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 11A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
额定电压DC 500 V
额定电流 11.0 A
通道数 1
漏源极电阻 380 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 1 kW
输入电容 880 pF
栅电荷 30.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 6.70 A, 11.0 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 940pF @50VVds
额定功率Max 100 W
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 100W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STD12NM50N ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STD12NM50ND 意法半导体 | 类似代替 | STD12NM50N和STD12NM50ND的区别 |