SPI20N65C3XKSA1概述
TO-262 N-CH 650V 20.7A
N-Channel 650V 20.7A Tc 208W Tc Through Hole PG-TO262-3-1
得捷:
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO262-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 20.7A I2PAK-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube
SPI20N65C3XKSA1中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 190 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 208W Tc
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
连续漏极电流Ids 20.7A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 2400pF @25VVds
下降时间 4.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 208W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3-1
外形尺寸
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3-1
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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