SI4953ADY-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI4953ADY-T1-E3概述

MOSFET P-CH DUAL 30V 3.7A 8-SOIC

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 30V 3.7A 1.1W 表面贴装型 8-SO

得捷:
MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

DeviceMart:
MOSFET P-CH DUAL 30V 3.7A 8-SOIC

SI4953ADY-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 0.09 Ω

极性 Dual P-Channel

耗散功率 2.00 W

漏源极电压Vds 30 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 4.90 A, -4.90 A

额定功率Max 1.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4953ADY-T1-E3

型号： SI4953ADY-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH DUAL 30V 3.7A 8-SOIC

替代型号SI4953ADY-T1-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI4953ADY-T1-E3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI4923DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	完全替代	SI4953ADY-T1-E3和SI4923DY-T1-GE3的区别
SI4973DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	完全替代	SI4953ADY-T1-E3和SI4973DY-T1-GE3的区别
SI4925DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix	类似代替	SI4953ADY-T1-E3和SI4925DDY-T1-GE3的区别