SI5511DC-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI5511DC-T1-GE3概述

MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 4A，3.6A 3.1W，2.6W 表面贴装型 1206-8 ChipFET™

得捷:
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

AMEYA360:
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

SI5511DC-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 435pF @15VVds

额定功率Max 3.1W, 2.6W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMD-8

外形尺寸

封装 SMD-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI5511DC-T1-GE3

型号： SI5511DC-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8