SI6924AEDQ-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI6924AEDQ-T1-GE3概述

MOSFET N-CH 28V ESD 8-TSSOP

MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）共漏 28V 4.1A 1W 表面贴装型 8-TSSOP

得捷:
MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP

SI6924AEDQ-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

漏源极电压Vds 28 V

连续漏极电流Ids 4.60 A

额定功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSSOP-8

外形尺寸

封装 TSSOP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI6924AEDQ-T1-GE3

型号： SI6924AEDQ-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 28V ESD 8-TSSOP

替代型号SI6924AEDQ-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI6924AEDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI6968BEDQ-T1-E3 Vishay Siliconix	类似代替	SI6924AEDQ-T1-GE3和SI6968BEDQ-T1-E3的区别
SI3455ADV-T1-E3 Vishay Siliconix	功能相似	SI6924AEDQ-T1-GE3和SI3455ADV-T1-E3的区别
SI3457CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix	功能相似	SI6924AEDQ-T1-GE3和SI3457CDV-T1-GE3的区别