SI4953ADY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4953ADY-T1-GE3概述

MOSFET 30V 3.9A 2W 53mohm @ 10V

Mosfet Array 2 P-Channel Dual 30V 3.7A 1.1W Surface Mount 8-SO

得捷:
MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4925DDY-GE3

DeviceMart:
MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

SI4953ADY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 P-Channel

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids -4.90 A

额定功率Max 1.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4953ADY-T1-GE3

型号： SI4953ADY-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 30V 3.9A 2W 53mohm @ 10V

替代型号SI4953ADY-T1-GE3