SIA914DJ-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIA914DJ-T1-GE3概述

MOSFET 20V 4.5A 6.5W 53mohm @ 4.5V

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 20V 4.5A 6.5W 表面贴装型 PowerPAK® SC-70-6 双

得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

贸泽:
MOSFET 20V 4.5A 6.5W 53mohm @ 4.5V

DeviceMart:
MOSFET DL N-CH 20V PPAK SC70-6

SIA914DJ-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 Dual N-Channel

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 4.50 A

输入电容Ciss 400pF @10VVds

额定功率Max 6.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIA914DJ-T1-GE3

型号： SIA914DJ-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 20V 4.5A 6.5W 53mohm @ 4.5V