SI4906DY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI4906DY-T1-GE3概述

MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 40V 6.6A 3.1W 表面贴装型 8-SO

得捷:
MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

DeviceMart:
MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC

SI4906DY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 40 V

输入电容Ciss 625pF @20VVds

额定功率Max 3.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4906DY-T1-GE3

型号： SI4906DY-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC

替代型号SI4906DY-T1-GE3

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

SI4906DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

当前型号

当前型号

IRF7306TRPBF

英飞凌

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