SI9934BDY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI9934BDY-T1-GE3概述

MOSFET 12V 6.4A 2W 35mohm @ 4.5V

Mosfet Array 2 P-Channel Dual 12V 4.8A 1.1W Surface Mount 8-SO

得捷:
MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC

贸泽:
MOSFET 12V 6.4A 2.0W 35mohm @ 4.5V

DeviceMart:
MOSFET P-CH 12V 4.8A 8SOIC

SI9934BDY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 12 V

额定功率Max 1.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI9934BDY-T1-GE3

型号： SI9934BDY-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 12V 6.4A 2W 35mohm @ 4.5V

替代型号SI9934BDY-T1-GE3