SIS902DN-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIS902DN-T1-GE3概述

MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 75V 4A 15.4W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual

得捷:
MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI7922DN-T1-GE3

DeviceMart:
MOSFET N-CH D-S 75V 1212-8 PPAK

SIS902DN-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 75 V

输入电容Ciss 175pF @38VVds

额定功率Max 15.4 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PowerPAK-1212-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 1.04 mm

封装 PowerPAK-1212-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIS902DN-T1-GE3

型号： SIS902DN-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8

替代型号SIS902DN-T1-GE3