SI5903DC-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI5903DC-T1-GE3概述

MOSFET DUAL P-CH 20V 2.1A 1206-8

Mosfet Array 2 P-Channel Dual 20V 2.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™

得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8

贸泽:
MOSFET DUAL P-CH 2.5V G-S RATED

SI5903DC-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 20 V

额定功率Max 1.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMD-8

外形尺寸

长度 3.05 mm

宽度 1.65 mm

高度 1.1 mm

封装 SMD-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI5903DC-T1-GE3

型号： SI5903DC-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET DUAL P-CH 20V 2.1A 1206-8

替代型号SI5903DC-T1-GE3